相比目前固態(tài)感應(yīng)加熱設(shè)備使用的硅MOSFET，碳化硅功率器件具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，且門極驅(qū)動(dòng)功率小，在高溫、高頻和大功率場合應(yīng)用有明顯優(yōu)勢；碳化硅功率器件在電力電子產(chǎn)品中的應(yīng)用已成為當(dāng)今的研究熱點(diǎn)，其優(yōu)良的特性使固態(tài)感應(yīng)加熱電源的工作頻率得到大幅度提升。研發(fā)頻率高于1MHz的固態(tài)超高頻碳化硅感應(yīng)加熱設(shè)備，使固態(tài)感應(yīng)加熱電源的工作頻率范圍大幅度提高，可滿足半導(dǎo)體區(qū)熔加熱、精密金屬器件熱處理等高端領(lǐng)域的應(yīng)用，且能耗更小，效率更高，基本實(shí)現(xiàn)零污染排放。

采用碳化硅MOSFET器件實(shí)現(xiàn)超高頻碳化硅MOSFET逆變功率單元，每個(gè)單元功率為50KW，多個(gè)功率單元可并聯(lián)組成大功率設(shè)備；固態(tài)碳化硅超高頻設(shè)備工作頻率在1MHz以上，大功率輸出，可滿足精密熱處理行業(yè)使用要求；固態(tài)碳化硅超高頻設(shè)備采用智能數(shù)字化逆變控制技術(shù)，使用先進(jìn)的DSP+FPGA處理器架構(gòu)，滿足對超高頻設(shè)備的控制要求。